مقدمة:
مسحوق ثاني أكسيد السيليكونيستخدم على نطاق واسع في مختلف المجالات الصناعية بسبب خصائصه الفريدة. ومع ذلك، كمسحوق، فإنه يعاني من عيوب مثل التفاعل المنخفض، وضعف التشتت، وانخفاض الطاقة السطحية. يعد تعديل السطح وسيلة لتحسين خصائص مسحوق ثاني أكسيد السيليكون وتعزيز أدائه في التطبيقات المختلفة. سنناقش في هذا المقال طريقة تعديل سطح مسحوق ثاني أكسيد السيليكون باستخدام عامل اقتران السيلان وتأثيره على خواص مسحوق ثاني أكسيد السيليكون.
طريقة:
لتعديل سطح مسحوق ثاني أكسيد السيليكون، تم وضع 5 جرام من مسحوق السيليكون الصغير في كوب وخلطه بمحلول مختلط من الماء منزوع الأيونات والإيثانول بنسبة حجم 1:9. تم ضبط قيمة الرقم الهيدروجيني للمحلول إلى حوالي 4 باستخدام حمض الأسيتيك المثلج. تم بعد ذلك تشتيت الخليط بالموجات فوق الصوتية لمدة 15 دقيقة. بعد ذلك، تمت إضافة أجزاء كتلة مختلفة من عامل اقتران السيلان KH-550 باستخدام ماصة دقيقة، وتمت معالجة الخليط بالموجات فوق الصوتية لمدة 5 دقائق أخرى. تم تنفيذ التفاعل المعدل باستخدام محرك مغناطيسي بدرجة حرارة ثابتة عند 100 درجة مئوية لمدة 120 دقيقة. تم بعد ذلك ترشيح مسحوق السيليكون الدقيق المعدل وتجفيفه للحصول على مسحوق السيليكون الدقيق المعدل سطحيًا.
نتائج:
تميز مسحوق السيليكون الدقيق المعدل بحجم الجسيمات، وتشكل السطح، وقيمة امتصاص الزيت، ومؤشر التنشيط، والتحليل الطيفي للأشعة تحت الحمراء. كان مؤشر التنشيط وقيمة امتصاص الزيت لمسحوق السيليكون الدقيق المعدل 82.4% و0.264 مل/جم، على التوالي، وهي أعلى بكثير من قيم المسحوق غير المعدل. في طيف الأشعة تحت الحمراء، ظهرت ذروة امتصاص جديدة، مما يشير إلى أن عامل الاقتران قد ارتبط كيميائيًا بسطح مسحوق السيليكون الصغير. وبالتالي، فإن تعديل السطح يعزز بشكل فعال تفاعل وتشتت مسحوق ثاني أكسيد السيليكون.
خاتمة:
تعمل طريقة تعديل السطح باستخدام عامل اقتران السيلان KH-550 على تحسين خصائص مسحوق ثاني أكسيد السيليكون بشكل كبير، مما يوسع آفاق تطبيقه في مختلف المجالات. في SAT NANO، نقدم مساحيق ثاني أكسيد السيليكون عالية الجودة بأحجام تتراوح من 20-30 نانومتر، و100 نانومتر، إلى 1-3 ميكرومتر، ويمكننا أيضًا تقديم خدمات تعديل السطح حسب احتياجاتك. اتصل بنا لمعرفة المزيد عن منتجاتنا وخدماتنا.
